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    人教版 (2019)选择性必修 第二册第一章 安培力与洛伦兹力综合与测试单元测试课时练习

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    这是一份人教版 (2019)选择性必修 第二册第一章 安培力与洛伦兹力综合与测试单元测试课时练习,共15页。试卷主要包含了单项选择题,多项选择题,非选择题等内容,欢迎下载使用。

    第一章 安培力与洛伦兹力

    (75分钟 100)

    一、单项选择题:本题共7小题,每小题4分,共28分。在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的。

    1(2022·石家庄高二检测)如图所示,用细绳悬挂一矩形导线框且导线框底边水平,导线框通有逆时针方向的电流(从右侧观察)。在导线框的正下方、垂直于导线框平面有一直导线PQ。原PQ中无电流,现通以水平向左的电流,在短时间内(  )

    A.从上往下观察导线框向右平移

    B.从上往下观察导线框顺时针转动

    C.细绳受力会变得比导线框重力大

    D.导线框中心的磁感应强度变小

    【解析】C。由安培定则判断出通电导线Q在线框处的磁场方向从外向里,根据左手定则,可知外侧电流受安培力向右,内侧电流受安培力向左,从上往下看,导线框将逆时针转动,故AB错误;线框沿顺时针方向转动一个小角度后,靠近导线Q处的边的电流的方向向左,由左手定则可知,其受到的安培力的方向向下,所以整体受力向下,则细绳受力会变得比导线框重力大,故C正确;线框沿逆时针方向转动一个小角度后,电流Q产生的磁场方向从外向里穿过线框,根据安培定则,线框表示磁场的方向也是从外向里,所以线框中心的磁感应强度变大,故D错误。

    【总结提升】结论法在通电导体动态分析中的应用

    (1)安培力作用下通电导体运动的两个重要结论

    ①同向电流互相吸引,反向电流互相排斥

    ②不平行的两直线电流相互作用时,有转到平行且电流方向相同的趋势

    (2)灵活运用两个重要结论以及安培力近大远小的特点,可以解决通电导线动态分析的绝大多数问题,并使过程极大简化。

    2(2021·重庆适应性测试)如图所示,两根相同的竖直悬挂的弹簧,上端固定,下端连接一质量为40 g的金属导体棒。部分导体棒处于边界宽度为d10 cm的有界匀强磁场中,磁场方向垂直于纸面向里。导体棒通入4 A的电流后静止,此时弹簧伸长量是未通电时的1.5倍。若弹簧始终处于弹性限度内,导体棒一直保持水平,则磁感应强度B的大小为(取重力加速度g10 m/s2)(  )

    A0.25 T    B0.5 T

    C0.75 T    D0.83 T

    【解析】B。未通电时,导体棒的重力与两弹簧的弹力相等,根据平衡条件可知mg2kx;通电后,通过导体棒的电流方向为从右向左,根据左手定则可知安培力方向竖直向下,根据平衡条件可知mgBId2k×1.5x,联立解得B0.5 TACD错误,B正确。故选B

    3.如图所示,空间的匀强电场和匀强磁场相互垂直,电场方向竖直向上,磁场方向垂直纸面向里,一带电微粒a处于静止状态,下列操作能使微粒做匀速圆周运动的是(  )

    A.只撤去电场

    B.只撤去磁场

    C.给a一个竖直向下的初速度

    D.给a一个垂直纸面向里的初速度

    【解析】C。微粒处于静止状态时有mgqE,电场力与场强方向相同,微粒带正电,若只撤去电场,粒子在重力作用向下加速后在洛伦兹力作用下向右偏转,不是匀速圆周运动,A错误;若只撤去磁场,则微粒仍处于静止状态,B错误;若给a一个竖直向下的初速度,则微粒会受到始终垂直速度的洛伦兹力作用而做匀速圆周运动,C正确;若给a一个垂直纸面向里的初速度,由于速度方向与磁场方向平行,不受洛伦兹力作用,会向纸面内做匀速直线运动,D错误。

    4.如图所示,在第一象限内有垂直纸面向里的匀强磁场(磁场足够大),一对正负电子分别以相同的速度沿与x轴成30°角的方向从原点垂直磁场射入,则负电子与正电子在磁场中运动的时间之比为(  )

    A.1      B12

    C11       D21

    【解析】B。电子在磁场中做圆周运动的轨迹如图所示

    电子在磁场中做圆周运动的周期为:T,由几何知识可知:α120°β60°,电子在磁场中的运动时间tT,则负电子与正电子在磁场中运动时间之比:,故B正确。

    【补偿训练】(多选)(2021·宜昌高二检测)如图,边长为L的正三角形abc区域内存在垂直纸面向里的匀强磁场,质量为m、电荷量为q的同种粒子每次都从a点沿与ab边成30°角的方向垂直射入磁场,若初速度大小为v0,射入磁场后从ac边界距a处射出磁场。不计粒子的重力,下列说法正确的是(  )

    A.若粒子射入磁场的速度增大为2v0,则出射位置距a

    B.若粒子射入磁场的速度增大为2v0,则粒子在磁场中的运动时间减小为原来的一半

    C.若粒子射入磁场的速度不大于3v0,粒子从磁场中射出时速度方向均与ab边垂直

    D.若粒子射入磁场的速度不同,但从ac边射出的所有粒子在磁场中的运动时间相等

    【解析】ACD。根据几何关系可知从ac边界距a处射出磁场的粒子运动的轨迹半径R1,由洛伦兹力提供向心力可知,R1。若粒子射入磁场的速度增大为2v0,由洛伦兹力提供向心力可知,R2,根据几何关系可知出射位置距a,故A正确;若粒子从c点射出,根据几何关系可知粒子在磁场中做圆周运动的轨迹半径为R3L,由洛伦兹力提供向心力解得,粒子射入磁场的速度为3v0,若粒子射入磁场的速度不大于3v0,则所有的粒子都从ac边射出磁场,射出方向与ac边夹角为30°,与ab边垂直,在磁场中运动的轨迹所对应的角度都为60°,粒子在磁场中运动的时间都相等,故B错误,CD正确。

    5.如图所示,在一个边长为a的正六边形区域内存在磁感应强度大小为B,方向垂直于纸面向里的匀强磁场,三个相同的带正电粒子,比荷均为,先后从A点沿AD方向以大小不等的速度射入匀强磁场区域,粒子在运动过程中只受到磁场力作用,已知编号为的粒子恰好从F点飞出磁场区域,编号为的粒子恰好从E点飞出磁场区域,编号为的粒子从ED边上的某一点垂直边界飞出磁场区域,则(  )

    A.编号为的粒子在磁场区域内运动的时间为

    B.编号为的粒子在磁场区域内运动的时间为

    C.编号为①②③的三个粒子进入磁场的速度依次增大

    D.编号为①②③的三个粒子在磁场内运动的时间依次增加

    【解析】C。由qvBmT,得vT,由于B均相同,可知三粒子的速度与轨迹半径成正比,在磁场中做圆周运动的周期相同,可知三粒子在磁场中运动的时间与轨迹圆弧所对应的圆心角成正比。设编号为的粒子在正六边形区域磁场中做圆周运动的半径为r1,由几何关系可得r1a,轨迹圆弧对应的圆心角为120°。设编号为的粒子在正六边形区域磁场中做圆周运动的半径为r2,由几何关系可得r2a,轨迹圆弧对应的圆心角为60°。设编号为的粒子在正六边形区域磁场中做圆周运动的半径为r3,如图所示,

    由几何关系可得AE2a cos 30°ar32a,轨迹圆弧对应的圆心角为30°。编号为①②③的三个粒子在磁场中的运动半径依次增大,故速度依次增大,对应的圆心角依次减小,故时间依次减小,故C正确。

    【补偿训练】如图所示,一半径为R的圆形区域内有垂直于纸面向里的匀强磁场,一质量为m、电荷量为q的正电荷(重力忽略不计)以速度v沿正对着圆心O的方向射入磁场,从磁场中射出时速度方向改变了θ角。磁场的磁感应强度大小为(  )

    A.    B

    C    D

    【解析】B。以速度v正对着圆心射入磁场,将背离圆心射出,轨迹圆弧的圆心角为θ,如图,

    由几何关系知轨迹圆半径r,由半径r解得B,故B正确。

    6.如图所示,两个处于同一匀强磁场中的相同的回旋加速器,分别接在加速电压U1U2的高频电源上,且U1>U2,两个相同的带电粒子分别从这两个加速器的中心由静止开始运动,设两个粒子在加速器中的运动的时间分别为t1t2(在盒缝间加速时间忽略不计),获得的最大动能分别为Ek1Ek2,则(  )

    A.t1<t2Ek1>Ek2    Bt1t2Ek1<Ek2

    Ct1<t2Ek1Ek2   Dt1>t2Ek1Ek2

    【解析】C。粒子在磁场中做匀速圆周运动,由qvB可知,Ekmv2,粒子获得的最大动能只与磁感应强度和D形盒的半径有关,所以Ek1Ek2,设粒子在加速器中绕行的圈数为n,则Ek2nqU,由以上关系可知n与加速电压U成反比,由于U1>U2,则n1<n2,而tnTT不变,所以t1<t2,故C正确。

    7.在匀强磁场中放置一个矩形截面的载流导体,当磁场方向与电流方向垂直时,在导体内的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这一现象就是霍尔效应,这个电势差也被叫作霍尔电压。同时在导体内形成霍尔电场EH,利用霍尔效应制作的霍尔元件,广泛应用于测量和自动控制等领域。如图所示,在匀强磁场B(磁场方向垂直于前后表面)中有一载流导体,已知上表面宽为d,侧面高为h(已在图中标出),若通过导体的电流为I,电压表示数为U,电子的电荷量为e,导体单位体积内的自由电子数为n,下列说法中正确的是(  )

    A.洛伦兹力对电子做正功

    B.磁感应强度大小为B

    C.导体内形成的霍尔电场EH

    D.若图中的电流I是电子的定向运动产生的,则上表面比下表面电势高

    【解析】B。洛伦兹力在任何情况下都不做功,故A错误;当电压表示数稳定为U时,根据受力平衡有:evBeEH根据匀强电场电场强度与电势差的关系有:EH,根据电流微观表达式有:InevSnevhd,联立可得:B,故B正确,C错误;电流I是电子的定向运动产生的,电子定向移动方向与电流方向相反,故由左手定则可以判断电子向上表面偏转,所以上表面电势低于下表面电势,故D错误。

    二、多项选择题:本题共3小题,每小题6分,共18分。在每小题给出的四个选项中,有多项符合题目要求。全部选对的得6分,选对但不全的得3分,有选错的得0分。

    8.电流天平是一种测量磁场力的装置,如图所示。两相距很近的通电平行线圈,线圈固定,线圈置于天平托盘上。当两线圈均无电流通过时,天平示数恰好为零。下列说法正确的是(  )

    A.当天平示数为负时,两线圈电流方向相同

    B.当天平示数为正时,两线圈电流方向相同

    C.线圈对线圈的作用力等于线圈对线圈的作用力

    D.线圈对线圈的作用力与托盘对线圈的作用力是一对相互作用力

    【解析】AC。当天平示数为负时,说明两线圈相互吸引,两线圈电流方向相同,A正确;当天平示数为正时,说明两线圈相互排斥,两线圈电流方向相反,B错误;线圈和线圈之间的作用力是一对相互作用力,二者等大反向,C正确;线圈对线圈的作用力与托盘对线圈的作用力不是一对相互作用力,它们作用在一个物体上,D错误。

    9.如图所示,MDN为绝缘材料制成的固定的竖直光滑半圆形轨道,半径为R,直径MN水平,整个空间存在方向垂直纸面向外的匀强磁场,磁感应强度为B,一带电荷量为-q,质量为m的小球自M点无初速度下滑,下列说法中正确的是(  )

     

    A.小球由M点滑到最低点D时所用时间与磁场无关

    B.小球滑到D点时,对轨道的压力一定大于mg

    C.小球滑到D点时,速度大小v

    D.小球滑到轨道右侧时,可以到达轨道最高点N

    【解析】ACD。小球下滑过程中受重力、洛伦兹力、轨道支持力,因洛伦兹力与轨道支持力均垂直运动方向,故不影响速度大小,所以下滑时间与磁场无关,A正确;整个运动过程中只有重力做功,机械能守恒,下滑至最低点过程中,由机械能守恒定律知,mgRmv2,所以向左或向右经过D点速度都为C正确;根据机械能守恒定律知小球能滑至与M等高的N点,D正确;由D点受力分析及牛顿第二定律知,当向右经过D点时qvBFNmgm,得FN3mgqvB,由于不知道洛伦兹力qvB大小,故支持力FN大小不确定,B错误。

    10(2022·汕头高二检测)如图所示,带电平行板中匀强磁场方向垂直纸面向里,某带电小球从光滑绝缘轨道上的b点自由滑下,经过轨道端点c进入板间后恰能沿水平方向做直线运动。现使小球从较低的a点开始下滑,经c点进入板间的运动过程中(  )

    A.其动能将会增大

    B.其所受的洛伦兹力将会增大

    C.其电势能将会增大

    D.其受到的电场力将会增大

    【解析】ABC。小球从b点下滑到c点进入平行板间后做直线运动,对小球进行受力分析得小球共受到三个力作用:恒定的重力G、恒定的电场力F、洛伦兹力f,这三个力都在竖直方向上,小球在水平方向做直线运动,所以可以判断出小球受到的合力一定是零,即小球一定是做匀速直线运动,由左手定则和电场力的方向的特点可知,洛伦兹力和电场力同向,故都向上,可推出小球带正电。如果小球从稍低的a点下滑到c点进入平行板间,则进入磁场的速度会变小,所以洛伦兹力f比之前的减小,合力变为竖直向下,所以小球会偏离水平方向向下做曲线运动,向下偏转,故电场力做负功,电势能增加,水平方向速度不变,但竖直方向的速度增加,所以动能将会增大,导致洛伦兹力也会增大,电场力FqE不变,故ABC正确,D错误。

    三、非选择题:本题共4小题,共54分。

    11(12)如图所示为等臂电流天平。左臂所挂盘和砝码的总质量为m,右臂所挂矩形线圈的匝数为n,线圈水平边的长为L。下边处在磁感应强度大小为B,方向垂直线圈平面(纸面)向里的匀强磁场中。当线圈中通过大小为I、方向如图中所示的电流时,天平水平平衡。重力加速度为g,不计线圈重力。

    (1)请写出用nmLIg计算B的表达式;

    (2)已知挂盘和砝码的总质量为m0.5 kgB1.0 TL0.1 m,重力加速度g10 m/s2,天平平衡时线圈中的电流I2.0 A,求线圈的匝数。

    【解析】(1)由题可知,磁场方向垂直纸面向里,根据左手定则可知,线圈所受安培力方向向下,根据平衡条件有mgnBIL                                                                                    (3)

    解得B                (3)

    (2)(1)可得n             (3)

    代入数据,解得线圈匝数为n25          (3)

    答案:(1)B (2)25

    12(12)(2021·广东适应性测试)如图所示,MN两金属圆筒是直线加速器的一部分,MN的电势差为U,边长为2L的立方体区域abcda′b′c′d′内有竖直向上的匀强磁场,一质量为m,电量为+q的粒子,以初速度v0水平进入圆筒M左侧的小孔。粒子在每个筒内均做匀速直线运动,在两筒间做匀加速直线运动,粒子自圆筒N出来后,从正方形add′a′的中心垂直进入磁场区域,最后由正方形abb′a′中心垂直飞出磁场区域。忽略粒子受到的重力,求:

    (1)粒子进入磁场区域时的速率。

    (2)磁感应强度的大小。

    【解析】(1)粒子在直线加速器中加速,根据动能定理

    qUmv2mv              (3)

    可以解出粒子进入磁场的速率v      (3)

    (2)由几何关系可得,带电粒子在磁场中偏转的轨迹圆的半径RL

    在磁场中洛伦兹力提供向心力,qvB       (3)

    可以解得B           (3)

    答案:(1) (2)

    13.(14)如图所示的xOy坐标系,在第二象限内有水平向右的匀强电场,在第一、第四象限内分别存在匀强磁场,磁感应强度大小相等,方向如图所示。现有一个质量为m、电荷量为+q的带电粒子在该平面内从x轴上的P点,以垂直于x轴的初速度v0进入匀强电场,恰好经过y轴上的Q点且与y轴成45°角射出电场,再经过一段时间又恰好垂直于x轴进入第四象限的磁场。已知OP之间的距离为d,不计粒子的重力。求:

    (1)O点到Q点的距离;

    (2)磁感应强度B的大小;

    (3)带电粒子自进入电场至在磁场中第二次经过x轴所用的时间。

    【解析】(1)Q点的纵坐标为h,到达Q点的水平分速度为vxPQ受到的恒定的电场力与初速度方向垂直,则粒子在电场中做类平抛运动,则由类平抛运动的规律可知,hv0t1                                                                                                                                                                                      (1)

    水平方向匀加速直线运动的平均速度

    d                 (2)

    根据速度的矢量合成tan45°           (1)

    解得h2d                              (1)

    (2)粒子运动轨迹如图所示,由几何知识可得,粒子在磁场中的运动半径

    R2d                 (1)

    由牛顿第二定律得qvBm          (1)

    (1)可知vv0           (1)

    联立解得B              (1)

    (3)在电场中的运动时间为t1          (1)

    在磁场中的运动周期为T        (1)

    在第一象限中的运动时间为t2·TT      (1)

    在第四象限内的运动时间为t3          (1)

    带电粒子自进入电场至在磁场中第二次经过x轴所用的时间为

    tt1t2t3           (1)

    答案:(1)2d (2) (3)

    14(16)(2021·天津等级考)霍尔元件是一种重要的磁传感器,可用在多种自动控制系统中。长方体半导体材料厚为a、宽为b、长为c,以长方体三边为坐标轴建立坐标系xyz,如图所示。半导体中有电荷量均为e的自由电子与空穴两种载流子,空穴可看作带正电荷的自由移动粒子,单位体积内自由电子和空穴的数目分别为np。当半导体材料通有沿+x方向的恒定电流后,某时刻在半导体所在空间加一匀强磁场,磁感应强度的大小为B,沿+y方向,于是在z方向上很快建立稳定电场,称其为霍尔电场,已知电场强度大小为E,沿-z方向。

    (1)判断刚加磁场瞬间自由电子受到的洛伦兹力方向;

    (2)若自由电子定向移动在沿+x方向上形成的电流为In,求单个自由电子由于定向移动在z方向上受到洛伦兹力和霍尔电场力的合力大小Fnz

    (3)霍尔电场建立后,自由电子与空穴在z方向定向移动的速率分别为vnzvpz,求Δt时间内运动到半导体z方向的上表面的自由电子数与空穴数,并说明两种载流子在z方向上形成的电流应满足的条件。

    【解析】(1)自由电子受到的洛伦兹力沿+z方向                    (2)

    (2)t时间内流过半导体垂直于x轴某一横截面自由电子的电荷量为q,由电流定义式,有In                                                                                                                                                                                                    (1)

    设自由电子在x方向上定向移动速率为vnx,可导出自由电子的电流微观表达式为Inneabvnx                                                                                                                                                                                                                                (2)

    单个自由电子所受洛伦兹力大小为FevnxB      (2)

    霍尔电场力大小为FeE            (1)

    自由电子在z方向上受到的洛伦兹力和霍尔电场力方向相同,联立②③④式,其合力大小为FnzFFe(E)                                                                                                  (2)

    (3)Δt时间内在z方向上运动到半导体上表面的自由电子数为Nn、空穴数为Np NnnacvnzΔt                                                                                                                                                                                                    (2)

    NppacvpzΔt                (2)

    霍尔电场建立后,半导体z方向的上表面的电荷量就不再发生变化,则应NnNp,即在任何相等时间内运动到上表面的自由电子数与空穴数相等,这样两种载流子在z方向形成的电流应大小相等、方向相反。                                                        (2)

    答案:(1)沿+z方向 (2)e(E) (3)见解析

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